Research Projects and Achievements
National Invention Patents-5
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序号
专利名称
发明人
申请时间
专利号申请号
专利
类型
1
一种基于指令预取的多核共享存储器控制设备
   李康、光青、郝跃、
   雷理、彭毓佳
 
CN 102207916
发明
专利
2
一种基于交叉开关结构的片上互连方法
  李康、范勇、雷理、
  赵庆贺、史江一、
  马佩军、郝跃
 
201110210017.6
发明
专利
3
一种基于多核多线程处理器的功能宏流水线实现方法
 李康、赵庆贺、雷理、   范勇、马佩军、
史江一、郝跃
 
201110309287.2
发明
专利
4
AlGaN极化紫外光电探测器及其制作方法
郝跃、张伟、毛维
20010528
201110140930.3.
发明
专利
5
一种p-i-n夹层结构InGaN太阳电池
郝跃、毕臻、张进成、周小伟、马晓华、王冲
 
201110293423.3
发明
专利
6
含有超晶格结构的p-i-nInGaN太阳电池
郝跃、毕臻、周小伟、张进成、马晓华、王冲
 
201110300096.X
发明
专利
7
aGaN外延层薄膜腐蚀应力的Raman表征
郝跃、王党会、许晟瑞、张进成、张金凤、毕志伟、毛维、马晓华、赵胜雷、薛晓咏、艾姗
 
201110293524.0
发明
专利
8
 N型隐埋沟道的碳化硅DEMOSFET器件及制备方法
汤晓燕、元磊、张玉明、张义门、王文、
杨飞
20110512
201110122724.X
发明
专利
9
基于超级结的碳化硅MOSFET器件及制备方法
汤晓燕、元磊、
张玉明、张义门、
王文、杨飞
20110623
201110169285.8
发明
专利
10
N沟道积累SiC IEMOSFET器件及制备方法

汤晓燕、张超、张玉明、张义门、杨飞、
王文

 

20110512
201110122219.5
发明
专利
11
外延沟道的SiC IEMOSFET器件及制备方法
汤晓燕、张超、
张玉明、张义门、
杨飞、王文
20110623
201110171696.0
发明
专利
 
 
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