Research Projects and Achievements
National Invention Patents-4
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专利名称
发明人
授权时间
专利号
专利
类型
1
基于mAl2O3衬底上半极性GaN的生长方法
郝跃、许晟瑞、周小伟、张进成
20110921
ZL201010155019.5
发明专利
2
基于γLiAlO2衬底上非极性mGaNMOCVD生长方法
郝跃、许晟瑞、薛军帅、周小伟、张进成、曹艳荣、蔡冒世、王昊
20111019
ZL201010209568.6
发明专利
3
基于a6HSiC衬底上非极性mGaNMOCVD生长方法
郝跃、许晟瑞、张进成、周小伟、杨林安、史林玉、王昊、陈珂
2011
ZL201010209324.8
发明专利
4
绝缘栅型源场板异质结场效应晶体管
毛维、郝跃、杨翠、过润秋、张进成、马晓华、许晟瑞
20110601
ZL200810232512.5
发明专利
5
AlGaN基蓝宝石衬底的紫外LED器件的制作方法
郝跃、杨凌、马晓华、周小伟、李培咸
20110406
ZL200910021793.4
发明专利
6
SiC衬底上的多量子阱紫外LED器件及制作方法
郝跃、杨凌、马晓华、周小伟、李培咸
20110406
ZL200910021764.8
发明专利
7
基于缺陷边界值变化次数的IC缺陷分类方法
刘红侠、周文、高博
20110209
ZL200910020850.7
发明专利
8
全透明AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法
王冲、郝跃、马晓华、
张进成、曹艳荣、杨凌
20110824
ZL201010013536.9
发明专利
9
4H-SiC硅面外延生长石墨烯的方法
张玉明、郭辉、王党朝、张义门、汤晓燕、
王悦湖、王德龙
20110427
ZL200910023384.8
发明专利
10
提高4H-SiC基面位错转化率的外延方法
苗瑞霞、张玉明、
汤晓燕、张义门
20110715
ZL200910218656.X
发明专利
11
偏移场板结构的4H-SiC PiN/肖特基二极管及其制作方法
张玉明、陈丰平、吕红亮、王悦湖、张林、
郑庆立、宋庆文
20110624
ZL200910022015
发明专利
12
基于规则拓扑库面向应用的片上网络生成方法
蔡觉平、刘政、郝跃、李赞、黄岗、姚磊、王炼、雷敬楹、任泽坤、李圣
20111028
 ZL201010144088.6
发明专利

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