Research Projects and Achievements
National Invention Patents-2015
  审核人:

序号

专利名称

发明人

申请时间

专利号

专利

类型

授权日期

1

一种多晶的应变Si BiCMOS集成器件及制备方法

张鹤鸣 王海栋
胡辉勇 宋建军
周春宇 宣荣喜
舒  斌  郝  跃

2012.7.16

201210243645.9

发明专利

2015.9.30

2

一种基于自对准工艺的平面应变Si BiCMOS集成器件及制备方法

胡辉勇   宋建军
宣荣喜  舒 斌  
张鹤鸣 周春宇
戴显英 郝 跃

2012.7.16

201210244399.9

发明专利

2015.9.30

3

一种基于平面应变SiGe HBT器件的BiCMOS集成器件及制备方法

胡辉勇 张鹤鸣
宋建军 王海栋舒 斌 宣荣喜 周春宇 戴显英 郝 跃

2012.7.16

201210243169.0

发明专利

2015.9.30

4

一种基于自对准工艺的应变Si BiCMOS集成器件及制备方法

胡辉勇 宋建军
张鹤鸣 宣荣喜
李妤晨 舒 斌
戴显英 郝 跃

2012.7.16

201210244090.X

发明专利

2015.9.30

5

一种混合晶面双应变硅基CMOS集成器件及制备方法

张鹤鸣 李妤晨
宋建军 胡辉勇
宣荣喜 王 斌
王海栋 郝 跃

2012.7.17

201210244169.2

发明专利

2015.9.30

6

一种混合晶面应变Si垂直沟道BiCMOS集成器件及制备方法

胡辉勇 宣荣喜
张鹤鸣吕 懿 王 斌 舒 斌
宋建军 郝 跃

2012.7.16

201210244426.2

发明专利

2015.9.16

7

一种应变SiGe BiCMOS集成器件及制备方法

张鹤鸣 周春宇
宋建军 胡辉勇
宣荣喜 舒 斌 王 斌 郝 跃

2012.7.17

201210243170.3

发明专利

2015.9.16

8

一种双多晶的应变SiGe平面BiCMOS集成器件及制备方法

胡辉勇 张鹤鸣 宋建军 宣荣喜 舒 斌 周春宇 王 斌 郝 跃

2012.7.16

201210244287.3

发明专利

2015.9.2

9

一种双多晶SiGe HBT混合晶面BiCMOS集成器件及制备方法

张鹤鸣 吕 懿 胡辉勇 宋建军 李妤晨 宣荣喜 舒 斌 郝 跃

2012.7.16

201210244372.X

发明专利

2015.8.19

10

一种三多晶SOI SiGe HBT平面集成器件及制备方法

张鹤鸣 周春宇 宋建军 胡辉勇 宣荣喜 王 斌 王海栋 郝 跃

2012.7.16

201210244429.6

发明专利

2015.8.19

11

一种基于应变Si回型沟道工艺的应变BiCMOS集成器件及制备方法

胡辉勇 宋建军 张鹤鸣 李妤晨 舒 斌 吕 懿 宣荣喜 郝 跃

2012.7.16

201210244636.1

发明专利

2015.8.19


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